| 摘要 |
Спосіб отримання радіаційно стійкого моно- та полікристалічного кремнію для електронних приладів шляхом вирощування з розплаву, включаючи легування фосфором для створення провідності n-типу та ізовалентним елементом IV групи, причому додатково легують домішкою олова у діапазоні концентрацій 10-10смза умови, що отриманий матеріал буде мати питомий електроопір в межах 0,5-20 Ом×см, концентрації технологічних домішок кисню та вуглецю не перевищують величин 10смі 5×10смвідповідно, а регулювання радіаційної стійкості проводять зміною співвідношення вагових частин кремнію, фосфору і олова у вихідному розплаві. |
