| 主权项 |
一种半导体器件，其特征在于，该器件包含：一个第一导电类型的半导体衬底；一个第一导电类型的外延层，其沉积在该半导体衬底的顶面上，该外延层包含一个重掺杂的表面遮罩区，该表面遮罩区沉积在轻掺杂的一电压闭锁区上方；一个主动晶胞阵列，其包含一个与第一导电类型相反的第二导电类型的本体区，一个第一导电类型的源极区，以及一个沉积在该表面遮罩区顶面附近的闸极、一个沉积在该半导体衬底底面上的汲极，若干个形成在该表面遮罩区中的沟槽，其中用沟槽绝缘材料内衬该些沟槽，用导电沟槽填充材料填充该些沟槽，配置该些沟槽与该表面遮罩区上方的源极电极电接触，与该源极区以及若干个第二导电类型的掩埋掺杂区电接触，其中每一该些掩埋掺杂区都沉积在该些沟槽中的其中一个沟槽的下方，其中该些掩埋掺杂区延伸到与该表面遮罩区的底面深度相同的地方；一个包围着该主动晶胞阵列的端接区，该端接区包含两个或若干个区域，以及一个断路器，该断路器用于防止本体层和该半导体器件的边缘之间出现短路；该端接区形成在该外延层中，该端接区包含若干个端接结构，该些端接结构都包含一个沟槽遮罩电极和一个第二导电类型的掩埋掺杂区，使得该沟槽和该掩埋区的总深度与该表面遮罩区的深度相同；最靠近主动区的第一区域中的每一该些端接结构都包含一个电接头，该电接头在其沟槽遮罩电极和靠近该主动晶胞阵列的那部分本体层之间；并且第二区域中的每一该些端接结构都包含一个电接头，该电接头在其沟槽遮罩电极和远离该主动晶胞阵列的那部分本体层之间，随着与该主动晶胞阵列的距离增大，第二区域中每一该些端接结构之间的距离也随之增大。 |
