发明名称 半导体发光装置及形成其之方法
摘要
申请公布号 TWI504024 申请公布日期 2015.10.11
申请号 TW101146263 申请日期 2012.12.07
申请人 东芝股份有限公司 发明人 宇野泽圭佑
分类号 H01L33/48 主分类号 H01L33/48
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种半导体发光装置,其包括:一半导体层,其包括一第一主表面、形成在与该第一主表面相对之一侧上之一第二主表面及一发光层;一p电极,其配置在该第二主表面上;复数n电极,其等延伸于该p电极之一纵向方向,各配置在该第二主表面上且被该p电极围绕;及一绝缘层,其配置在该半导体层之侧表面上及该半导体层之该第二主表面上以围绕该p电极及各该n电极;其中各该n电极包含一第一部分电连接至一n金属柱及一第二部分与该第一部分连续地配置,以使一电流通过该第一部分流动在该n金属柱与该第二部分之间;且从该p电极之一纵向边缘至一最外n电极之一中心轴之一距离系等于邻近n电极之中心轴之间之一距离之一半。
地址 日本