| 主权项 |
一种将至少一层，特别是一半导体层沉积于多个基板(5)上之方法，其中，在一镀覆装置(1)内由一共用供气装置(11)为多个特定言之结构相同的处理室(2)提供处理气体，此等处理气体分别由一进气机构(3)送入该处理室(2)，在该处理室中，在一基座(4)上放置有一或多个待镀覆基板(5)，其中，由一处理室顶部(8)与一处理室底部(9)之间距所界定的处理室高度(H)可变且可对该层之生长率产生影响，其特征在于，在层生长过程中连续或以极短间隔对每个处理室(2)中至少一基板(5)上的层厚进行量测并用一调节器(12)及一调节元件(6)调节该处理室高度(H)，以在该等处理室内沉积相同层厚的层。
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