横向式绝缘闸双极电晶体及其制造方法

主权项

一种横向式绝缘闸双极电晶体(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor，LIGBT)，至少包含：具有一第一导电类型之一基板；具有一第二导电类型之一第一离子井，位于该基板中；具有该第一导电类型之一第二离子井，位于该基板中且邻接该第一离子井；具有该第二导电类型之一缓冲层，位于该第一离子井中；具有该第一导电类型之一第一掺杂区，位于该缓冲层中；具有该第一导电类型之一第二掺杂区，位于该缓冲层中且邻接该第一掺杂区；以及具有该第二导电类型之一第三掺杂区，位于该缓冲层中，其中该第三掺杂区之下方邻接该第一掺杂区，且该第三掺杂区之一侧邻接该第二掺杂区。