| 主权项 |
一种半导体装置的制造方法，包含步骤如下：在基板上形成绝缘层；在该绝缘层上形成第一氧化物半导体层；在该第一氧化物半导体层上形成第二氧化物半导体层；在该第一氧化物半导体层和该第二氧化物半导体层上进行第一热处理；在该第一热处理后，在含氧的氛围中冷却该第一氧化物半导体层和该第二氧化物半导体层；在该第一热处理后，在该第一氧化物半导体层和该第二氧化物半导体层上形成导电膜；蚀刻该导电膜以形成源极电极层和汲极电极层；以及形成氧化物绝缘膜以和该第二氧化物半导体层的一部份接触，其中该第一热处理在惰性气体氛围中进行。
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