| 发明名称 | 电阻式记忆体及其制造方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI504033 | 申请公布日期 | 2015.10.11 |
| 申请号 | TW102105327 | 申请日期 | 2013.02.08 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 李明修;简维志 |
| 分类号 | H01L45/00;H01L29/43;G11C13/00 | 主分类号 | H01L45/00 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
| 主权项 | 一种电阻式记忆体，包括：第一电极，具有第一部分及第二部分；第二电极，相对于所述第一电极而配置；可变电阻材料层，具有侧壁以及相对的第一表面及第二表面，其中所述可变电阻材料层的所述第一表面与所述第一电极的所述第一部分连接，所述可变电阻材料层的所述第二表面与所述第二电极电性连接，且所述第二部分围绕所述可变电阻材料层的所述侧壁且与所述第一部分连接；第一介电层，配置于所述第一电极与所述第二电极之间；以及第二介电层，配置于所述可变电阻材料层与所述第一电极的所述第二部分之间。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 | ||