| 主权项 |
一种半导体元件，包括：一高电子迁移率的电晶体元件，形成于至少部份的一III-V族化合物层中，且该III-V族化合物层位于一矽基板上；以及一二极体位于该矽基板中；其中该二极体电性耦合至该高电子迁移率的电晶体元件，或电性耦合至位于该高电子迁移率的电晶体元件附近的接触垫，其中该III-V族化合物层包括：一氮化镓缓冲层形成于该矽基板上；以及一氮化铝镓层形成于该氮化镓缓冲层上，其中该高电子迁移率的电晶体元件包括：一闸极构件形成于该氮化铝镓层上；一源极构件形成于至少部份的该氮化铝镓层中；一汲极构件形成于至少部份的该氮化铝镓层中，且该闸极构件位于该源极构件与该汲极构件之间。
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