电浆蚀刻方法，电浆蚀刻装置及电脑记忆媒体

主权项

一种电浆蚀刻方法，系经由形成于单晶矽层的上部被图案化成预定的图案之上层，利用处理气体的电浆来蚀刻被处理基板的单晶矽层之电浆蚀刻方法，其特征为：在开始进行上述单晶矽层的蚀刻的电浆蚀刻工程之前，利用含碳的气体的电浆来进行在上述上层的侧壁部形成保护膜的保护膜形成工程，上述保护膜形成工程，系将上述被处理基板载置于被配设于处理腔室内的载置台，并将第1频率之电浆生成用第1高频电力与低于上述第1频率之第2频率之电浆生成用第2高频电力施加至该载置台来予以进行，且，藉由调整上述第2高频电力的方式，一面溅射形成于上述单晶矽层之表面的保护膜，一面使附着于上述上层的侧壁部，藉此，使形成于上述上层的侧壁部之保护膜的厚度成为比形成于上述单晶矽层之表面的保护膜之厚度更厚。