| 主权项 |
一种半导体装置，包括：半导体层，具有第一导电类型；体区，位于该半导体层中，具有与该第一导电类型相反的第二导电类型，并且具有第一掺杂浓度；源极区，具有该第一导电类型，该源极区形成于该体区中；汲极区，具有该第一导电类型，该汲极区形成于该半导体层中，与该源极区相分离；闸极区，位于该半导体层的位于该源极区和该汲极区之间的部分上；以及凹陷的源电极接触，包括凹陷部分，该凹陷部分纵向延伸穿过该源极区并与该体区接触，并且该凹陷部分与该源极区和该体区电气耦接，其中该半导体装置进一步包括：隔离侧墙，毗邻该闸极区的每一侧形成，其中该凹陷的源电极接触的侧壁与该隔离侧墙自对准；源电极接触凹陷，纵向穿过该源极区并与该体区接触，该源电极接触凹陷具有与该体区接触的底面和横向自对准于该隔离侧墙的侧壁；以及矽化物层，沿该源电极接触凹陷的底面和侧壁形成；其中该凹陷的源电极接触位于该源电极接触凹陷中，并且该凹陷的源电极接触的该凹陷部分通过该矽化物层与该源
极区耦接。
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