具有对称切换及单一方向程式化之自旋转矩转移记忆体单元结构

主权项

一种自旋转矩转移磁性随机存取记忆体(STT-MRAM)单元结构，其包括：一非磁性区域，其具有至少一第一侧、一第二侧及一第三侧；一第一固定区域，其被安置与该非磁性区域之该第一侧直接接触；一第二固定区域，其被安置与该非磁性区域之该第二侧直接接触；及一自由区域，其沿着该非磁性区域之该第三侧安置。