半导体性单壁奈米碳管之制备方法

主权项

一种半导体性单壁奈米碳管之制备方法，包括以下步骤：提供一基体，该基体具有一第一表面；提供一单壁奈米碳管薄膜结构，将该单壁奈米碳管薄膜结构设置于所述基体之第一表面，所述单壁奈米碳管薄膜结构包括复数个单壁奈米碳管，该复数个单壁奈米碳管之间具有间隙，且该复数个单壁奈米碳管由金属性单壁奈米碳管及半导体性单壁奈米碳管组成；将一高分子材料层设置于所述单壁奈米碳管薄膜结构上，形成一复合结构，所述高分子材料层包覆单壁奈米碳管中之每一金属性单壁奈米碳管及每一半导体性单壁奈米碳管；将所述复合结构放置于一电磁波环境中，除去包覆金属性单壁奈米碳管之高分子材料层，从而使金属性单壁奈米碳管暴露；除去所述金属性单壁奈米碳管；及除去包覆半导体性单壁奈米碳管之高分子材料层，得到半导体性单壁奈米碳管。