从磊晶层分离成长基板的方法、使用该方法制造发光二极体的方法以及藉由该方法制造的发光二极体

主权项

一种分离成长基板的方法，包括：制备成长基板；在所述成长基板上形成牺牲层及罩幕图案，其中所述牺牲层经由所述罩幕图案的开口而暴露；经由电化学蚀刻(ECE)而蚀刻所述牺牲层；形成由装置隔离区域彼此隔离的多个氮化物半导体堆叠结构，同时多个所述氮化物半导体堆叠结构覆盖所述罩幕图案；将支撑基板附着至多个所述氮化物半导体堆叠结构，所述支撑基板具有连接至所述装置隔离区域的多个通孔；以及自所述氮化物半导体堆叠结构分离所述成长基板。