发明名称 | 发光二极体 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI504022 | 申请公布日期 | 2015.10.11 |
申请号 | TW101138524 | 申请日期 | 2012.10.18 |
申请人 | 北京富纳特创新科技有限公司 | 发明人 | 冯辰;潜力;王昱权 |
分类号 | H01L33/36 | 主分类号 | H01L33/36 |
代理机构 | 代理人 | 陈俊铭 台北市内湖区基湖路32号6楼 | |
主权项 | 一种发光二极体,其包括:一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层、一第一电极以及一第二电极;所述第二电极、第二半导体层、活性层以及第一半导体层依次层叠设置,所述第二电极与第二半导体层电连接,所述第一电极与所述第一半导体层电连接,所述第二半导体层远离活性层的表面为所述发光二极体的出光面,所述第二电极设置于所述发光二极体的出光面;其改良在于,所述第二电极为一奈米碳管膜,包括复数个奈米碳管线以及复数个奈米碳管团簇,所述复数个奈米碳管线间隔且平行设置,并沿一第一方向延伸形成一第一导电通路,所述奈米碳管团簇设置于相邻两个奈米碳管线之间且通过凡得瓦力与所述奈米碳管线紧密相连,相邻的奈米碳管线之间的奈米碳管团簇之间间隔设置,所述复数个奈米碳管团簇沿所述第一方向间隔设置,并沿一第二方向整齐排列成行,且通过所述复数个奈米碳管线形成一连续的直线形导电通路,其中,所述第二方向与所述第一方向垂直。 | ||
地址 | 中国 |