| 发明名称 | ＭＥＭＳ音波感测器及其制造方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI504279 | 申请公布日期 | 2015.10.11 |
| 申请号 | TW101120613 | 申请日期 | 2012.06.08 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 叶建南;王钦宏;李新立;陈建铭;何宗哲;潘力齐 |
| 分类号 | H04R19/00;H04R31/00 | 主分类号 | H04R19/00 |
| 代理机构 | 代理人 | 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 | |
| 主权项 | 一种MEMS音波感测器，包括：一基板，具有一第一开口区及具有一下电极层设置于该基板之一表面上，其中该第一开口区包含至少一孔洞，使一声压进入该MEMS音波感测器中，且该下电极层未覆盖该至少一孔洞；一MEMS晶片，堆叠于该基板之该表面上，并包含一第二开口区及一上电极层部分密封该第二开口区，其中该第二开口区实质上对准该第一开口区，该上电极层系一多孔振膜，且该上电极层与该下电极层平行间隔设置以形成一感应电容；以及；一上盖，设置于该MEMS晶片上或该基板之该表面上，并与该MEMS晶片或该基板形成一空腔。 | ||
| 地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 | ||