| 发明名称 |
具有电晶体区域互连的半导体设备 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI503957 |
申请公布日期 |
2015.10.11 |
| 申请号 |
TW101127701 |
申请日期 |
2012.08.01 |
| 申请人 |
格罗方德半导体公司 |
发明人 |
拉希德 马赫布卜;寿思 史帝芬;凯 仲沃克;林 艾琳Ｙ;格莱特 詹姆斯 班杰明;阮 镇;金 杰夫;塔拉比亚 马可;马远升;邓云飞;欧格 瑞德;李承贤;约翰逊 史考特;肯格日 撒柏瑞玛尼;芬卡特桑 苏雷什 |
| 分类号 |
H01L27/092;H01L23/52 |
主分类号 |
H01L27/092 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
| 主权项 |
一种半导体设备，包括：半导体基板；第一电晶体及第二电晶体，系形成于该半导体基板上；各该电晶体包括源极、汲极与闸极；第一区域互连层，系电性连接至该第一电晶体之该源极或该汲极中之至少一者；以及第二区域互连层，系电性连接至该等电晶体之该等闸极中之二者及该第一区域互连层。
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| 地址 |
美国 |
