| 主权项 |
一种用于一次性可编程记忆体的具有电熔丝结构的半导体装置，包括：一具有浅沟槽隔离结构的基底基板；一第一金属层，形成在所述浅沟槽隔离结构上，具有限定阳极、阴极、和连接在所述阴极与阳极之间的熔丝颈的形状；一未掺杂的多晶矽区域，形成在所述熔丝颈上；以及一第二金属层，具有形成在所述第一金属层上且位于所述多晶区域的相对侧上的第一部分和第二部分，所述第二金属层的所述第一部分形成在所述阳极以及所述熔丝颈之第一部分上，而所述第二金属层的所述第二部分形成在所述阴极以及所述熔丝颈之第二部分上，其中所述多晶矽区域系形成于所述熔丝颈之所述第一部分与所述第二部分之间的第三部分上。
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