不具专用预充电电晶体之差动感测放大器

主权项

一种差动感测放大器，其用以感测储存于一记忆体胞元阵列的多个记忆体胞元中的资料，该差动感测放大器包括：一第一CMOS反相器，其具有连接到一第一位元线之一输出与连接到与该第一位元线互补的一第二位元线之一输入；一第二CMOS反相器，其具有连接到该第二位元线的一输出和连接到该第一位元线的一输入，每个CMOS反相器包含：一拉升电晶体，其具有一汲极和一源极，及一下拉电晶体，其具有一汲极和一源极，每个CMOS反相器的该拉升电晶体和该下拉电晶体具有一共用汲极，该感测放大器具有配置成分别耦接至该等第一和第二位元线之一对预充电电晶体，以便将该等第一和第二位元线预充电至一预充电电压；其特征在于该等预充电电晶体系由该等拉升电晶体或由该等下拉电晶体构成，其中该等拉升电晶体和该等下拉电晶体系具有至少一第一控制闸极和一第二控制闸极之多闸极电晶体，且其中：该等拉升电晶体之该等第二控制闸极系由一拉升第二控制信号所驱动，
该等下拉电晶体之该等第二控制闸极系由一下拉第二控制信号所驱动。