可变且可逆之电阻式记忆储存单元及记忆储存模组

主权项

一种电阻式记忆储存单元，具有一可变且可逆之阻值，包含：一第一电极，系为一离子布植区；一高介电系数介电层，位于该第一电极上，用以作阻值变化；一介电氧化层(interfacial layer)，其中该介电氧化层之介电系数小于该高介电系数介电层之介电系数；以及一第二电极，系为一金属闸极，且位于该高介电系数介电层上。