| 主权项 |
一种半导体元件，包含一种覆半导体的绝缘层(SeOI)结构，特别是一种覆矽的绝缘层(SOI)结构，其包含一基材、该基材上之一氧化层以及该氧化层上之一半导体层；其具有一场效应电晶体(FET)，其中该FET包含：该基材中之一通道区；一介电层，其至少部分为该覆半导体的绝缘层结构之该氧化层之一部分；以及一闸极，其至少部分为该覆半导体的绝缘层之该半导体层之一第一部分；其更包含另一FET，其包含一通道区及由该覆半导体的绝缘层结构之该半导体层之一第二部分所形成之源极及汲极区；且其中该SeOI结构之该半导体层之该第一部分以及该SeOI结构之该半导体层之该第二部分至少部分重合。
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