具掺杂碳化矽层之结晶矽太阳能电池及其制造方法

主权项

一种具掺杂碳化矽层之结晶矽太阳能电池，包含：一半导体基板，该半导体基板具有粗糙化之一第一表面，该第一表面设有一掺杂碳化矽层，该掺杂碳化矽层包含一掺杂元素，该掺杂碳化矽层之深度系为碳元素植入该半导体基板之深度；一抗反射层，设置于该掺杂碳化矽层上；复数个正面电极，设置于该抗反射层上且穿透该抗反射层以与该掺杂碳化矽层接触；及一背面电极层，设置于该半导体基板一第二表面。