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发明名称 半导体元件及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI504018 申请公布日期 2015.10.11
申请号 TW102135879 申请日期 2013.10.03
申请人 国立台湾大学 发明人 杨志忠;陈志谚;林群涵;苏佳莹;陈鸿祥
分类号 H01L33/16 主分类号 H01L33/16
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种半导体元件的制造方法，包括：提供一矽(110)基板，该矽(110)基板上形成有多条沟渠，各该沟渠至少沿一第一方向延伸，且该第一方向平行于该矽(110)基板的<1-10>晶轴方向；于该矽(110)基板上形成一缓冲层，且该缓冲层曝露出该些沟渠；于该缓冲层上形成一第一型掺杂半导体层，该第一型掺杂半导体层覆盖该些沟渠；于该第一型掺杂半导体层上形成一发光层；以及于该发光层上形成一第二型掺杂半导体层。
地址 台北市大安区罗斯福路4段1号
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