发明名称 半导体密封用硬化性组合物
摘要
申请公布号 TWI503376 申请公布日期 2015.10.11
申请号 TW100119307 申请日期 2011.06.01
申请人 艾迪科股份有限公司 发明人 日渡谦一郎;汤本勇
分类号 C08L83/14;H01L23/29 主分类号 C08L83/14
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种半导体密封用硬化性组合物,其含有由下述通式(1)所表示之含有SiH基之矽氧烷化合物作为(A)成分、由下述通式(2)所表示之含有乙烯基之矽氧烷化合物作为(B)成分、由下述通式(19)或下述通式(20)所表示之具有至少3个SiH基或乙烯基之化合物作为(C)成分、及矽氢化触媒作为(D)成分, (式中,X1表示自具有2个SiH基之分子量1000以下之化合物之SiH基中去除氢原子而成的残基,X2表示自具有2个SiH基之分子量1000以下之化合物之SiH基中去除氢原子而成的残基、或自具有2个乙烯基之分子量1000以下之化合物中去除乙烯基而成的残基,Y1表示由下述通式(3)所表示之聚矽氧烷基,a表示0或1之数,x表示0~10之数,其中,由上述通式(1)所表示之化合物之质量平均分子量为3000~100万,1分子中键结于矽原子上之碳数6~10之芳基的数量相对于键结于矽原子上之碳数1~4之烷基的数量与键结于矽原子上之碳数6~10之芳基的数量之合计之比例为0.05~0.5,Y1-CH2CH2基之含量为0.2mmol/g以下),(式中,X3表示自具有2个乙烯基之分子量1000以下之化合物中去除乙烯基而成的残基,X4表示自具有2个乙烯 基之分子量1000以下之化合物中去除乙烯基而成的残基、或自具有2个SiH基之分子量1000以下之化合物之SiH基中去除氢原子而成的残基,Y2表示由下述通式(4)所表示之聚矽氧烷基,b表示0或1之数,y表示0~10之数,其中,由上述通式(2)所表示之化合物之质量平均分子量为3000~100万,1分子中键结于矽原子上之碳数6~10之芳基的数量相对于键结于矽原子上之碳数1~4之烷基的数量与键结于矽原子上之碳数6~10之芳基的数量之合计之比例为0.05~0.5,Y2-CH2CH2基与乙烯基之含量之合计为0.002~0.7mmol/g),(式中,R1~R3分别独立表示碳数1~4之烷基,R4~R6分别独立表示碳数6~10之芳基,R7~R10分别独立表示碳数1~4之烷基或碳数6~10之芳基,c、d及e表示使由上述通式(1)所表示之化合物之质量平均分子量成为3000~100万之数),(式中,R11~R13分别独立表示碳数1~4之烷基,R14~R16分别独立表示碳数6~10之芳基,R17~R20分别独立表示碳数1~4之烷基或碳数6~10之芳基,f、g及h表示使由上述通 式(2)所表示之化合物之质量平均分子量成为3000~100万之数),(式中,R30表示碳数1~4之烷基或碳数6~10之芳基,m表示3~6之数,R11~R20、f、g及h表示与上述通式(4)相同含义),(式中,R41表示碳数1~4之烷基或碳数6~10之芳基,s表示3~6之数,R1~R10、c、d及e表示与上述通式(3)相同含义)。
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