| 主权项 |
一种半导体结构的制作方法，包括下列步骤：提供一第一型基底；于该第一型基底中形成一第一型体掺杂区；该第一型基底中形成一第二型井区及复数个第二型条状区，其中该些第二型条状区是位于该第二型井区与该第一型体掺杂区之间，且该第一型体掺杂区、该第二型井区与每个该第二型条状区是藉由该第一型基底相隔开；于该第一型体掺杂区中形成一第一型浓掺杂区；于该第二型井区中形成一第二型浓掺杂区；进行一退火制程使该些第二型条状区扩散成一第二型连续区，且该第二型连续区与该第二型井区邻接，其中该第二型连续区未与该第一型体掺杂区接触；形成一隔离结构于该第一型基底上，其中该第二型连续区与该第二型浓掺杂区皆位于该隔离结构的一侧，而该第一型浓掺杂区位于该隔离结构之另一侧；以及形成一闸极结构于该第一型基底上，其中该第二型井区横向延伸于该第二型浓掺杂区之下，而该第二型连续区自该第二型井区横向延伸于该隔离结构之下，其中该第二型井区与该第二型连续区之间的第二型杂质浓度差异具有缓冲电场的效果。
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