磁阻效应元件之制造方法,申请号TW101135284-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	磁阻效应元件之制造方法
摘要
申请公布号	TWI504032	申请公布日期	2015.10.11
申请号	TW101135284	申请日期	2005.09.05
申请人	佳能安内华股份有限公司;独立行政法人产业技术总合研究所	发明人	大卫　贾耶帕威拉;恒川孝二;长井基将;前原大树;山形伸二;渡边直树;汤浅新治
分类号	H01L43/08	主分类号	H01L43/08
代理机构		代理人	林志刚台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项	一种磁阻效应元件之制造方法，包含强磁性层与该强磁性层上之阻挡层所成之层积构造的磁阻效应元件之制造方法，其特征系具有：至少表面成膜有非晶质状态之强磁性层，使用溅镀法，从与该强磁性层的界面，以至于与该强磁性层相反侧的界面，于厚度方向中，成膜(001)面具有平行配向于界面之单结晶构造之氧化镁的阻挡层的工程。
地址	日本

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