发明名称 焊垫结构之制造方法
摘要
申请公布号 TWI503904 申请公布日期 2015.10.11
申请号 TW101116614 申请日期 2012.05.10
申请人 世界先进积体电路股份有限公司 发明人 杨佩甄;杨晓莹
分类号 H01L21/60 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项 一种焊垫结构之制造方法,包括:提供之一半导体结构,其上形成有一导电层以及具有一第一开口之一图案化之介电层,该第一开口部份露出该导电层之一部;施行一第一沈积程序,于该介电层与该导电层上形成一层第一保护材料;施行一第一图案化程序,以图案化该层第一保护材料,以形成具有一第二开口之一第一保护层,其中该第二开口露出了该第一开口、邻近该第一开口之部份介电层与该导电层;施行一第二沈积程序,于该第一保护层、该介电层与该导电层上形成一层第二保护材料;以及施行一第二图案化程序,以图案化该层第二保护材料,以形成具有一第三开口之一第二保护层,其中该第三开口露出了该第二开口、邻近该第二开口之部份第一保护层、该第一开口及邻近该第一开口之部份介电层,而该第二保护层与该第一保护层构成了一复合保护层。
地址 新竹县新竹科学工业园区园区三路123号