| 发明名称 |
НИЗКООМНЫЙ ОМИЧЕСКИЙ КОНТАКТ К ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОЙ СТРУКТУРЕ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ |
| 摘要 |
Низкоомный омический контакт к гетероэпитаксиальной структуре на основе нитрида галлия, состоящий из последовательных слоёв кремний-титан-алюминий-никель-золото, отличающийся тем, что между слоями нитрида галлия и кремния расположен дополнительный слой титана толщиной 5-10 нм. |
| 申请公布号 |
RU155419(U1) |
申请公布日期 |
2015.10.10 |
| 申请号 |
RU20150114686U |
申请日期 |
2015.04.21 |
| 申请人 |
федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) |
发明人 |
Шостаченко Станислав Алексеевич;Рыжук Роман Валериевич;Каргин Николай Иванович;Миннебаев Станислав Вадимович;Захарченко Роман Викторович |
| 分类号 |
H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
