オプトエレクトロニクス半導体ボディ及びオプトエレクトロニクス半導体チップ

摘要

本発明は、放射発生のために設けられた活性領域（２０）を含む半導体積層体（２）と、第１のバリア領域（２１）と、第２のバリア領域（２２）とを有する、オプトエレクトロニクス半導体ボディ（１）に関する。活性領域（２０）は、第１のバリア領域（２１）と第２のバリア領域（２２）との間に配置されている。第１のバリア領域（２１）内に、引張応力が与えられた少なくとも１つの電荷キャリアバリア層（３）が配置されている。さらに本発明は、このような半導体ボディを備えた半導体チップ（１０）に関する。