Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung

摘要

Eine Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst Folgendes: eine erste Halbleiterschicht (2) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die auf einer Hauptoberfläche eines Halbleitersubstrats (1) eines ersten Leitfähigkeitstyps angeordnet ist; mehrere Grabengates (18), die die erste Halbleiterschicht in einer Dickenrichtung durchdringen, so dass sie das Innere des Halbleitersubstrats erreichen; eine zweite Halbleiterschicht (6) des zweiten Leitfähigkeitstyps, die selektiv in einem oberen Abschnitt der ersten Halbleiterschicht zwischen den Grabengates vorgesehen ist; eine Isolationsschicht (17), die mit einer Seitenoberfläche der zweiten Halbleiterschicht in Kontakt steht und sich in der ersten Halbleiterschicht in der Dickenrichtung erstreckt; eine dritte Halbleiterschicht (5) des ersten Leitfähigkeitstyps, die im oberen Abschnitt der ersten Halbleiterschicht zwischen den Grabengates vorgesehen ist und mindestens eine Seitenoberfläche in Kontakt mit dem Grabengate aufweist; eine erste Hauptelektrode (12), die auf der ersten Halbleiterschicht so angeordnet ist, dass sie mit der zweiten Halbleiterschicht und der dritten Halbleiterschicht in Kontakt kommt; und eine zweite Hauptelektrode (13), die auf der anderen Hauptoberflächenseite entgegengesetzt zur einen Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats vorgesehen ist. Die Isolationsschicht ist zwischen der zweiten Halbleiterschicht und der dritten Halbleiterschicht vorgesehen, um die zweite und die dritte Halbleiterschicht voneinander zu trennen, und ist so ausgebildet, dass sie sich in dieselbe Tiefe wie die zweite Halbleiterschicht oder in eine Position, die tiefer liegt als die zweite Halbleiterschicht, erstreckt.