发明名称 Halbleitervorrichtung
摘要 Zwei oder mehr Felder 22 und 26 sind mit einem Gatebereich 30 verbunden, so dass ein Feld zum Anlegen einer Gatespannung ausgewählt werden kann. In dem Fall, bei dem beispielsweise der Umgebungsbereich leicht überhitzt, wird eine Einschaltspannung an dem ersten Feld 22 angelegt, um den Umgebungsbereich später einzuschalten als den mittleren Bereich, und eine Ausschaltspannung wird an dem zweiten Feld 26 angelegt, um den Umgebungsbereich früher auszuschalten als den mittleren Bereich. Dem Problem, dass der Umgebungsbereich leichter überhitzt, kann begegnet werden. In dem Fall, bei dem der Fluss eines übermäßigen Stroms die Temperatur erhöht, wird die Ausschaltspannung an dem zweiten Feld 26 angelegt. Dem Problem, dass die Temperatur leicht in den Umgebungsbereich ansteigt, wenn ein übermäßiger Strom fließt, kann begegnet werden.
申请公布号 DE112012007238(T5) 申请公布日期 2015.10.08
申请号 DE20121107238T 申请日期 2012.12.21
申请人 TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA 发明人 HIROSE, SATOSHI
分类号 H01L29/739;H01L21/8234;H01L27/06;H01L29/78 主分类号 H01L29/739
代理机构 代理人
主权项
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