发明名称 发光二极管及其制造方法
摘要 一种发光二极管的制造方法,其包括如下步骤:提供二LED部件及一支撑结构,每一LED部件包括一第一基板及设在第一基板表面的一LED芯片,支撑结构具有第一斜面及第二斜面;将二LED部件分别固定在支撑结构的第一斜面及第二斜面上,使二LED芯片与支撑结构实现电连接,其中一LED部件被第一斜面所支撑而朝向支撑结构的一侧倾斜出光,另一LED部件被第二斜面所支撑而朝向支撑结构的相对另一侧倾斜出光,从而使整个发光二极管的出光加宽。该发光二极管的LED部件通过搭载于两呈一角度倾斜的斜面上,可令LED芯片朝向发光二极管的两侧方向发光,即可实现对侧面发光增强并增加整体出光角度。本发明还涉及一种发光二极管。
申请公布号 CN103107246B 申请公布日期 2015.10.07
申请号 CN201110354711.5 申请日期 2011.11.10
申请人 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 发明人 林厚德;张超雄
分类号 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 代理人 叶小勤
主权项 一种发光二极管制造方法,其包括如下步骤:提供二LED部件及一支撑结构,每一LED部件包括一第一基板及设在第一基板表面的一LED芯片,支撑结构具有第一斜面及第二斜面;将二LED部件分别固定在支撑结构的第一斜面及第二斜面上,使二LED芯片与支撑结构实现电连接,其中一LED部件被第一斜面所支撑而朝向支撑结构的一侧倾斜出光,另一LED部件被第二斜面所支撑而朝向支撑结构的相对另一侧倾斜出光,从而使整个发光二极管的出光角度加宽,其中,该LED部件还包括第一金属层、第二金属层,该第一金属层、第二金属层均自第一基板搭载LED芯片的表面延伸到第一基板远离LED芯片的表面,该LED芯片搭载于该第一基板上并与该第一金属层与第二金属层达成电性连接。
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