具有可调整栅极电阻值的晶体管的半导体存储器元件

摘要

本发明公开了一种具有可调整栅极电阻值的晶体管的半导体存储器元件，包括具有可储存多个位数据的存储单元的阵列。存储单元是以多个连接至一共源极线的存储串作排列设置。每一存储单元包括以串联形式连接一电阻值的一可编程晶体管。此晶体管包括一处于多个不同电阻值之间的可切换控制的栅极介电层。晶体管的阈值电压依据栅极介电层的电阻值而有所改变。故，此些存储单元的存储状态是和晶体管的介电层各别电阻值有所关连。

主权项

一种存储器元件，包括一具有多个存储单元的阵列，该多个存储单元中的至少一个包括：一晶体管，具有一半导体衬底、一源极、一漏极、以及一栅极结构，该栅极结构包括一栅极介电层及一低电阻值层，该栅极介电层位于该半导体衬底之上，该低电阻值层位于该栅极介电层之上，该栅极介电层可切换式地对应至一第一电阻值和一第二电阻值，该第一电阻值和该第二电阻值分别对应一第一存储态和一第二存储态；该栅极介电层的该第一电阻值是与该晶体管的一软性击穿状态相对应；以及一电阻，与该晶体管的该栅极结构串联，该电阻包括一高电阻值层，该高电阻值层是设置于该栅极介电层与该低电阻值层之间，且该高电阻值层包括一掺杂多晶硅材料。