发明名称 |
一种晶圆片的研磨抛光方法 |
摘要 |
本发明公开了一种晶圆片的研磨抛光方法,属于芯片制造技术领域。本发明的晶圆片的研磨抛光方法是采用苯并环丁烯涂覆晶圆片表面,将涂覆好的晶圆片粘贴在夹具上,进行加热处理使苯并环丁烯涂层玻璃化,再经过研磨抛光后放入能溶解苯并环丁烯的溶剂中浸泡使其自动从夹具上滑落,最后进行刻蚀,同时去除残余的BCB,得到洁净的背面抛光的晶圆片。本发明的方法避免了人手工涂石蜡造成的平整度和重复性差的问题,同时使生产过程无毒无害,生产时间缩短、成品率提高。 |
申请公布号 |
CN103050392B |
申请公布日期 |
2015.10.07 |
申请号 |
CN201310008727.X |
申请日期 |
2013.01.10 |
申请人 |
武汉电信器件有限公司 |
发明人 |
刘巍;王任凡;阳红涛;刘应军;万峰 |
分类号 |
H01L21/304(2006.01)I;B24B37/04(2012.01)I |
主分类号 |
H01L21/304(2006.01)I |
代理机构 |
北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 |
代理人 |
黄挺 |
主权项 |
一种晶圆片的研磨抛光方法,其特征在于,采用苯并环丁烯涂覆晶圆片表面,将涂覆好的晶圆片粘贴在夹具上,进行加热处理使苯并环丁烯涂层玻璃化,再经过研磨抛光后放入能溶解苯并环丁烯的溶剂中浸泡使其自动从夹具上滑落,最后进行刻蚀,并同时去除残余的BCB,得到洁净的背面抛光的晶圆片;所述加热处理的加热温度为270~300℃。 |
地址 |
430074 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号 |