半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，其特征在于，具备：引线框或电路基板、层叠和/或并列装载在所述引线框或电路基板上的1个以上的半导体元件、将所述引线框或电路基板和所述半导体元件进行电接合的铜导线、以及将所述半导体元件和所述铜导线进行密封的密封材，其中所述铜导线的线径为18μm～23μm，所述密封材由环氧树脂组合物的固化物构成，所述环氧树脂组合物含有(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)球状二氧化硅、(D)金属氢氧化物和/或金属氢氧化物固溶体，该半导体装置是在由所述环氧树脂组合物密封成型后经过单片化工序而得到的。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：引线框或电路基板，具备电接合部，具有冲模垫部，多个半导体元件，层叠或并列装载在所述引线框的所述冲模垫部上或者所述电路基板上，具备电极衬垫，铜导线，将所述引线框或所述电路基板的所述电接合部和所述半导体元件的所述电极衬垫进行电接合，以及密封材，将所述半导体元件和所述铜导线进行密封；所述铜导线的线径为18μm～23μm，所述密封材由环氧树脂组合物的固化物构成，所述环氧树脂组合物含有(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)球状二氧化硅、(D)金属氢氧化物和/或金属氢氧化物固溶体，所述半导体装置是在由所述环氧树脂组合物密封成型后经过单片化工序而得到的，所述(D)金属氢氧化物和/或金属氢氧化物固溶体是氢氧化铝和/或氢氧化镁，所述环氧树脂组合物进一步含有选自氢氧化锆、水滑石、勃姆石中的1种以上的铝防蚀剂，所述(D)金属氢氧化物和/或金属氢氧化物固溶体相对于所述环氧树脂组合物总质量的含有比例为1质量％～10质量％，所述铝防蚀剂相对于所述环氧树脂组合物总质量的含有比例为0.1质量％～1质量％。