| 发明名称 | 一种高导电性铝合金薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高导电性铝合金薄膜及其制备方法，化学成分为Al-Sn-X，其中X为Fe、Ni、Zn或Si元素中的一种或几种，铝合金薄膜在25℃的条件下电阻率为1.7～2.1μΩ·cm，采用纳米晶铝合金薄膜的制备、纳米晶铝合金薄膜的热处理两个步骤制备得到高导电性铝合金薄膜。与现有技术相比，本发明通过引入合金元素Sn,采用较为相对简单的加工工艺以及廉价的合金元素，极大的提升了铝合金薄膜的导电性能，可以广泛应用于半导体连接件、液晶显示等方面。 | ||
| 申请公布号 | CN104962871A | 申请公布日期 | 2015.10.07 |
| 申请号 | CN201510271557.3 | 申请日期 | 2015.05.25 |
| 申请人 | 同济大学 | 发明人 | 赵冠楠;严彪;张永;郑增;牛俊超 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 一种高导电性铝合金薄膜，其特征在于，该铝合金薄膜的化学成分为Al‑Sn‑X，其中X为Fe、Ni、Zn或Si元素中的一种或几种，铝合金薄膜在25℃的条件下电阻率为1.7～2.1μΩ·cm。 | ||
| 地址 | 200092 上海市杨浦区四平路1239号 | ||