绝缘栅型碳化硅半导体装置及其制造方法

摘要

提供能够缓和栅极绝缘膜的电场并且抑制导通电阻的增大的绝缘栅型碳化硅半导体装置及其制造方法。其特征在于，具备：在主面是设置了大于0°的偏离角的{0001}面4H型的碳化硅基板1上的第1导电类型的漂移层(2a)、在漂移层(2a)的表层侧的第2导电类型的第1基区(3)、第1导电类型的源极区域(4)、沟槽(5)、在沟槽侧壁处的栅极绝缘膜(6)、与沟槽(5)的底部相接地设置在漂移层(2a)内的第2导电类型的保护扩散层(13)、以及为了将保护扩散层(13)与第1基区(13)连接而与沟槽侧壁的多个面中的一面的至少一部分相接地设置了的第2导电类型的第2基区(14)，第2基区(14)相接的沟槽侧壁面是对与<0001>方向平行的面朝向<0001>方向附加大于0°的沟槽偏离角而得到的面。

主权项

一种绝缘栅型碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：4H型的碳化硅基板，主面是设置了大于0°的偏离角的{0001}面；第1导电类型的漂移层，设置在所述碳化硅基板上；第2导电类型的第1基区，位于所述漂移层的表面侧；第1导电类型的源极区域，位于所述第1基区内；沟槽，贯通所述第1基区与所述源极区域，具有由多个面构成的沟槽侧壁；栅极绝缘膜，形成于所述沟槽内的所述沟槽侧壁；栅极电极，隔着所述栅极绝缘膜地埋入到所述沟槽内；第2导电类型的保护扩散层，与所述沟槽的底部相接地设置在所述漂移层内；以及第2导电类型的第2基区，与所述保护扩散层的一部分、所述第1基区的一部分以及所述沟槽侧壁的所述多个面中的一面的至少一部分相接地，设置在所述漂移层内，所述第2基区相接的所述沟槽侧壁的所述一面是对与<0001>方向平行的面朝向<0001>方向附加大于0°的沟槽偏离角而得到的面。