一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构

摘要

本实用新型公开了一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构，其包含一具有第一导电类型的重掺杂硅衬底；在所述重掺杂硅衬底顶面设置一具有第一导电类型的掺杂外延层；在所述掺杂外延层上设置有一系列密排的超深沟槽，且所述超深沟槽的高宽比为10:1到60:1。所述超深沟槽通过掺杂多晶硅的填充，并经过高温推进形成一个立体的具有第二导电类型的扩散掺杂区域，与具有第一导电类型的晶圆掺杂硅衬底形成一个纵向结构的PN结。该纵向结构的PN结的结面积由侧面积和底面积所组成。而纵向结构的PN结的结面积可以通过沟槽刻蚀的深度来增加，因此这种具有纵向PN结的TVS二极管结构可以在更小的芯片尺寸上承受更大的浪涌功率（千瓦级）或浪涌电流。

主权项

一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构，其特征在于，包括：一具有第一导电类型P型或N型的重掺杂硅衬底；所述重掺杂硅衬底顶面设置一具有第一导电类型P型或N型的掺杂外延层；所述掺杂外延层上设置有一系列密排的沟槽。