| 发明名称 | CIGS膜的制法以及使用该制法的CIGS太阳能电池的制法 | ||
| 摘要 | 本发明提供能够抑制表面的氧化的CIGS膜的制法、以及使用该CIGS膜的制法来制造抑制转换效率的降低和偏差的CIGS太阳能电池的方法。该用作CIGS太阳能电池的光吸收层的CIGS膜的形成具有下述工序：形成第1区域的工序，所述第1区域中，随着从其背面至规定的第1厚度位置为止变厚Ga/(In+Ga)比逐渐减少；以及第2区域的工序，随着从该第1区域上至规定的第1厚度位置变厚上述Ga/(In+Ga)比逐渐增加；进而具有形成第3区域的工序，所述第3区域为通过在上述第2区域上蒸镀Se和In，由此向着表面上述Ga/(In+Ga)比逐渐减少。 | ||
| 申请公布号 | CN104969329A | 申请公布日期 | 2015.10.07 |
| 申请号 | CN201480007631.4 | 申请日期 | 2014.01.24 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 寺地诚喜;渡边太一;西井洸人;山本祐辅;河村和典;峯元高志;贾卡潘·柴塔那 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种CIGS膜的制法，其特征在于，其是用作CIGS太阳能电池的光吸收层的CIGS膜的制法，且包括下述工序：形成第1区域的工序，所述第1区域中，随着从其背面至规定的厚度为止变厚下述(A)Ga/(In+Ga)比逐渐减少；以及在该第1区域上形成所述Ga/(In+Ga)比向着表面侧逐渐增加的第2区域的工序；其中，通过在所述第2区域上蒸镀硒(Se)和铟(In)，由此形成向着表面所述Ga/(In+Ga)比逐渐减少的第3区域，(A)Ga/(In+Ga)比为镓(Ga)的原子数浓度相对于铟(In)的原子数浓度和该镓(Ga)的原子数浓度之和的比。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||