电容式压力传感器和方法

摘要

在一个实施例中，形成MEMS装置的方法包括使得硅晶片设置有基底层和在所述基底层的上表面上方的中间层。在所述中间层中限定第一电极并且在所述中间层的上表面上方设置氧化物部。在所述氧化物部的上表面上设置罩层并且在所述罩层中限定第二电极。所述方法还包括蚀刻氧化物部以形成腔以使得当所述第二电极和所述腔突出到所述中间层上时，所述突出的第二电极包围所述突出的腔。

主权项

一种形成MEMS装置的方法，所述方法包括：设置基底层；在所述基底层的上表面上方设置中间层；在所述中间层中限定第一电极；在所述中间层的上表面上方设置氧化物部；在所述氧化物部的上表面上设置罩层；在所述罩层中限定第二电极；蚀刻所述氧化物部以形成腔以使得当所述第二电极和所述腔突出到所述中间层上时，所述突出的第二电极包围所述突出的腔。