| 发明名称 | 一种石墨烯-氮化硼-氮化镓LED芯片及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种石墨烯-氮化硼-氮化镓LED芯片，在衬底上自下而上依次有氮化镓层、氮化硼层和石墨烯层，还包括第一电极和第二电极。本发明的LED芯片中石墨烯层及氮化硼层均具有较低的光吸收系数，这有助于LED芯片获得更高的出光效率；且本发明的LED芯片正向通电以及反向通电均可以发光，并具有不同的发光光谱。此外，相比于传统氮化镓LED芯片的制备工艺，本发明的制备方法工艺简单，大大减少了MOCVD在LED芯片工艺制程中的使用比重，有利于降低芯片制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN104966771A | 申请公布日期 | 2015.10.07 |
| 申请号 | CN201510322480.8 | 申请日期 | 2015.06.13 |
| 申请人 | 温州生物材料与工程研究所 | 发明人 | 邱彩玉;丁雯;张新娟;徐一梦 |
| 分类号 | H01L33/26(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/26(2010.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 一种石墨烯‑氮化硼‑氮化镓LED芯片，其特征在于，在衬底（1）上自下而上依次有氮化镓层（2）、氮化硼层（3）和石墨烯层（4），所述的LED芯片还包括第一电极（5）和第二电极（6），第一电极（5）设置在氮化镓层（2）上，第二电极（6）设置在石墨烯层（4）上。 | ||
| 地址 | 325011 浙江省温州市高新区文昌路156号 | ||