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发明名称
ETCHING COMPOSITION FOR SILICON OXIDE LAYER
摘要
<p>본 발명의 실리콘 산화막 에칭액은 티올기를 하나 이상 갖는 금속막 부식 방지제를 포함하여 하나 이상의 금속막을 포함하는 실리콘 산화막을 에칭 처리시 상기 금속막의 손실 없이 실리콘 산화막을 선택적으로 에칭할 수 있게 된다. 따라서 각종 반도체 소자 제조시 유용하게 사용할 수 있다.</p>
申请公布号
KR101558479(B1)
申请公布日期
2015.10.07
申请号
KR20130149959
申请日期
2013.12.04
申请人
发明人
分类号
C09K13/08;H01L21/306
主分类号
C09K13/08
代理机构
代理人
主权项
地址
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