| 发明名称 | 8寸<110>磁场直拉单晶的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种8寸<110>磁场直拉单晶的制备方法，依次包括以下步骤：装料、加热化料、打开电磁场、稳温、引细径、放肩、收肩、等径生长、收尾、提起降温和出炉。稳温后，使已熔化原料的液面温度为1450℃，SP值设定为1300；从开始引细径到放肩结束，使得SP值下降80-120个单位；引细径时所用拉速为350-450mm/min，利用提拉法引细径，所述细径长度为200-300mm，所述细径直径为3-5mm；放肩时使拉速在5min之内由350-450mm/min降至40-60mm/min后，保持所述放肩过程的拉速不变，使肩部角度为30-60°。本发明的有益效果是：提高了8寸<110>单晶的一次成晶率，降低了开炉拉晶时间，节省成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103114328B | 申请公布日期 | 2015.10.07 |
| 申请号 | CN201310058246.X | 申请日期 | 2013.02.25 |
| 申请人 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 发明人 | 宋都明;王林;田志民;王清泉;张颂越 |
| 分类号 | C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B15/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人 | 李莉华 |
| 主权项 | 一种8寸<110>磁场直拉单晶的制备方法，依次包括以下步骤：装料、加热化料、打开电磁场、稳温、引细径、放肩、收肩、等径生长、收尾、提起降温和出炉，其特征在于：稳温后，使已熔化原料的液面温度为1450℃，SP值设定为1300；从开始引细径到放肩结束，使得SP值下降80‑120个单位；引细径时所用拉速为350‑450mm/min，采用提拉法，所述细径长度为200‑300mm，所述细径直径为3‑5mm；放肩时使拉速在5min之内由350‑450mm/min降至40‑60mm/min后，保持所述放肩过程的拉速不变，使肩部角度为30‑60°。 | ||
| 地址 | 300384 天津市滨海新区高新区华苑产业园区（环外）海泰东路12号 | ||