LED倒装芯片

摘要

LED倒装芯片，其P焊接电极和N焊接电极分别覆盖芯片底面的不同区域，有第一N欧姆接触层位于N焊接电极覆盖区域，芯片在N焊接电极和N半导体层之间开有第一沉坑让第一N欧姆接触层与N半导体层触通，有第二N欧姆接触层位于P焊接电极覆盖区域但局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外并且与P焊接电极相互绝缘，芯片在P焊接电极和N半导体层之间开有第二沉坑让第二N欧姆接触层与N半导体层触通。第二N欧姆接触层与P焊接电极相互绝缘以避免短路，且局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外以供焊接。不仅在N焊接电极覆盖区域分布有N欧姆接触层，而且在P焊接电极覆盖区域也能够分布N欧姆接触层，故在芯片上N欧姆接触层的电流分布均匀。

主权项

LED倒装芯片，其P焊接电极和N焊接电极分别覆盖芯片底面的不同区域，芯片的P欧姆接触层、P半导体层和有源发光层位于P焊接电极与芯片的N半导体层之间，有第一N欧姆接触层位于N焊接电极覆盖区域，芯片在N焊接电极和N半导体层之间开有第一沉坑让第一N欧姆接触层与N半导体层触通，其特征是，有第二N欧姆接触层位于P焊接电极覆盖区域但局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外并且与P焊接电极相互绝缘，芯片在P焊接电极和N半导体层之间开有第二沉坑让第二N欧姆接触层与N半导体层触通。