发明名称 低噪声CMOS集成参考电压产生电路
摘要 本发明涉及一种低噪声CMOS集成参考电压产生电路。该电路包括:低噪声带隙基准源产生电路,包括一个斩波放大器,所述低噪声带隙基准源产生电路用于产生低噪声带隙基准源;正参考电压产生电路,包括一个由斩波放大器,MOS管及电阻构成的负反馈电路,所述正参考电压产生电路用于从所述带低噪声隙基准源产生正参考电压;负参考电压产生电路,包括一个由斩波放大器,MOS管,电流源及电阻构成的负反馈电路,所述负参考电压产生电路用于从所述正参考电压产生与所述正参考电压对称的负参考电压。本发明采用CMOS工艺,与主流的集成电路工艺兼容,能够有效地降低成本。并且在电路布局中采用斩波技术产生一对低噪声且对称性良好的参考电压。
申请公布号 CN103529889B 申请公布日期 2015.10.07
申请号 CN201210228115.7 申请日期 2012.07.02
申请人 中国科学院声学研究所 发明人 孙泉;乔东海;齐敏;汤亮
分类号 G05F1/56(2006.01)I 主分类号 G05F1/56(2006.01)I
代理机构 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 代理人 陈霁
主权项 一种低噪声CMOS集成参考电压产生电路,其特征在于,包括:低噪声带隙基准源产生电路,包括一个斩波放大器,所述低噪声带隙基准源产生电路用于产生低噪声带隙基准源;正参考电压产生电路,包括一个由斩波放大器,MOS管及电阻构成的负反馈电路,所述正参考电压产生电路用于从所述低噪声带隙基准源产生正参考电压;负参考电压产生电路,包括一个由斩波放大器,MOS管,电流源及电阻构成的负反馈电路,所述负参考电压产生电路用于从所述正参考电压产生与所述正参考电压对称的负参考电压;其中,在所述低噪声带隙基准源产生电路之后,正参考电压产生电路之前,还包括:启动电路,用于使所述低噪声带隙基准源产生电路产生的带隙基准源工作在正常工作点;所述负参考电压产生电路,具体为:第三电阻的一端连接到所述正参考电压产生电路的经过滤波后的输出,第三电阻的另一端连接到斩波放大器的反相输入端和第四电阻的一端,第四电阻的另一端连接到电流源的一端和MOS管的漏极,电流源的另一端连电源,MOS管的栅极连接到斩波放大器的输出,MOS管的源级接地,斩波放大器的同相输入端也接地;其中,电流源与第四电阻的连接点为所述正参考电压产生电路的输出。
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