发明名称 |
等电位网络三结砷化镓太阳能电池阵结构及制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种等电位网络三结砷化镓太阳能电池阵结构及制造方法,其特征在于:每个三结砷化镓太阳能电池的效率大于28%;在每个三结砷化镓太阳能电池上粘贴有抗辐照玻璃盖片;在每个抗辐照玻璃盖片上蒸镀有MgF<sub>2</sub>减反射膜,在MgF<sub>2</sub>减反射膜上蒸镀有ITO透明导电膜;在ITO透明导电膜上蒸镀有一对ITO膜金属电极;每对ITO膜金属电极之间的电阻值不大于10kΩ;每个三结砷化镓太阳能电池组件由M个三结砷化镓太阳能电池组成,M个三结砷化镓太阳能电池的ITO膜金属电极之间通过ITO互连片依次串联;N个三结砷化镓太阳能电池组件之间通过ITO汇流条和导线相互并联之后,再通过铰链与卫星结构地连接。 |
申请公布号 |
CN104966742A |
申请公布日期 |
2015.10.07 |
申请号 |
CN201510341778.3 |
申请日期 |
2015.06.18 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第十八研究所 |
发明人 |
赵颖;刘娜;刘松喆 |
分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/05(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I |
代理机构 |
天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 |
代理人 |
李凤 |
主权项 |
一种等电位网络三结砷化镓太阳能电池阵结构,包括N个三结砷化镓太阳能电池组件,其中:N为大于2的自然数;其特征在于:每个三结砷化镓太阳能电池的效率大于28%;在每个三结砷化镓太阳能电池上粘贴有抗辐照玻璃盖片;所述抗辐照玻璃盖片的厚度范围是0.12mm~0.3mm;在每个抗辐照玻璃盖片上蒸镀有MgF<sub>2</sub>减反射膜,在所述MgF<sub>2</sub>减反射膜上蒸镀有ITO透明导电膜;所述ITO透明导电膜的厚度不大于15nm;在所述ITO透明导电膜上蒸镀有一对ITO膜金属电极;每对ITO膜金属电极之间的电阻值不大于10kΩ;每个三结砷化镓太阳能电池组件由M个三结砷化镓太阳能电池组成,其中,M为大于2的自然数;上述M个三结砷化镓太阳能电池的ITO膜金属电极之间通过ITO互连片依次串联;N个三结砷化镓太阳能电池组件之间通过ITO汇流条和导线相互并联之后,再通过铰链与卫星结构地连接。 |
地址 |
300384 天津市西青区海泰工业园华科七路6号 |