发明名称 |
一种MRI磁信号增强器件 |
摘要 |
本发明通过设计一种具有负磁导率特性的MRI磁信号增强器件,并将MRI磁信号增强器件放置于待测部位与磁信号接收线圈之间,由于具有负磁导率的MRI磁信号增强器件能增强倏逝波的传播,因此,能有效地增强磁信号的接收,使磁信号接收线圈在距离设置和形状设计上具有更好的灵活性,并能增强MRI成像效果,为医学诊断提供更为准确的信息。 |
申请公布号 |
CN102683879B |
申请公布日期 |
2015.10.07 |
申请号 |
CN201210133057.X |
申请日期 |
2012.04.28 |
申请人 |
深圳光启创新技术有限公司 |
发明人 |
刘若鹏;栾琳;郭洁;郭文鹏;杨学龙 |
分类号 |
H01Q15/00(2006.01)I;G01R33/56(2006.01)I;A61B5/055(2006.01)I |
主分类号 |
H01Q15/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 |
代理人 |
柳兴坤 |
主权项 |
一种MRI磁信号增强器件,设置在待测部位与MRI设备的磁信号接收线圈之间,用以增强磁信号成像效果,其特征在于:所述MRI磁信号增强器件包括由至少一层超材料层组成的超材料,所述超材料层包括介质基板和阵列在介质基板上的多个磁性微结构,所述磁性微结构为由一根螺绕线形成的螺绕开口谐振环,所述超材料具有负磁导率,所述超材料通过调整绕线的圈数调节所述超材料在负磁导率条件下的频率与MRI设备的磁信号工作频率相同,所述螺绕开口谐振环为方形螺绕开口环。 |
地址 |
518034 广东省深圳市福田区香梅路1061号中投国际商务中心A栋18B |