| 发明名称 | 氧化物薄膜晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法，所述制作方法包括在第一基板上依次形成栅极、栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成一漏极以及一源极，其中，所述源极和漏极被一沟道分隔开，所述沟道使所述栅极绝缘层部分暴露；在暴露的部分所述栅极绝缘层的表面形成氧化物膜层；在所述氧化物膜层的表面生成氮化铝AlN薄膜。通过上述方式，本发明能够在保护氧化物薄膜晶体管背沟道的同时简化制造工艺，节省成本。 | ||
| 申请公布号 | CN104966739A | 申请公布日期 | 2015.10.07 |
| 申请号 | CN201510383485.1 | 申请日期 | 2015.07.02 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 王质武 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人 | 何青瓦 |
| 主权项 | 一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在第一基板上依次形成栅极、栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成一漏极以及一源极，其中，所述源极和漏极被一沟道分隔开，所述沟道使所述栅极绝缘层部分暴露；在暴露的部分所述栅极绝缘层的表面形成氧化物膜层；在所述氧化物膜层的表面生成氮化铝AlN薄膜。 | ||
| 地址 | 518006 广东省深圳市光明新区公明办事处塘家社区观光路汇业科技园综合楼1第一层B区 | ||