发明名称 基于边导模结构及屏蔽结构的新型微带隔离器
摘要 本实用新型涉及微波器件领域,其公开了一种基于边导模结构及屏蔽结构的新型微带隔离器,由磁路(1)、垫片(2)、永磁体(3)、磁极(4)、铁氧体基片(5)和微带电路(6)组成;所述微带电路(6)制作在所述铁氧体基片(5)表面;所述永磁体(3)固定在所述磁路(1)内;所述磁路(1)为半屏蔽结构;所述微带电路(6)为边导模结构。本实用新型的有益效果是:通过半屏蔽结构设计,可以使永磁体得到有效利用,提高铁氧体基片的磁化程度,减小了隔离器的体积,减轻了隔离器的重量。
申请公布号 CN204696220U 申请公布日期 2015.10.07
申请号 CN201520396859.9 申请日期 2015.06.10
申请人 西南应用磁学研究所 发明人 高男;李扬兴;刘红;陈宁
分类号 H01P1/36(2006.01)I 主分类号 H01P1/36(2006.01)I
代理机构 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 代理人 胡吉科
主权项 一种基于边导模结构及屏蔽结构的新型微带隔离器,其特征在于:由磁路(1)、垫片(2)、永磁体(3)、磁极(4)、铁氧体基片(5)和微带电路(6)组成;所述磁路(1)、垫片(2)、永磁体(3)、磁极(4)和铁氧体基片(5)由上至下依次排列;所述微带电路(6)位于所述铁氧体基片(5)表面;所述永磁体(3)固定在所述磁路(1)内;所述铁氧体基片(5)固定在所述磁路内;所述磁极(4)连接所述永磁体(3);所述永磁体(3)和所述磁路(1)中设有垫片(2);所述磁路(1)为半屏蔽结构。
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