发明名称 |
一种用于GSM/DCS的共源共栅射频功率放大器 |
摘要 |
本实用新型公开了一种用于GSM/DCS的共源共栅射频功率放大器,包括由第一射频晶体管和第二射频晶体管组成的GSM频段共源共栅功率放大电路和由第三射频晶体管和第四射频晶体管组成的DCS频段共源共栅功率放大电路,所述GSM频段共源共栅功率放大电路和DCS频段共源共栅功率放大电路共用一个共栅级栅极去耦电容;GSM频段共源共栅功率放大电路的第一偏置电路和第二偏置电路以及DCS频段共源共栅功率放大电路的第三偏置电路和第四偏置电路连接功率控制单元,所述功率控制单元具有至少一个用于调整四个偏置电路的输出偏置电压的控制信号端。四个晶体管采用GaAs E/D pHEMT工艺,具有高性能及低成本的优势。 |
申请公布号 |
CN204697011U |
申请公布日期 |
2015.10.07 |
申请号 |
CN201520512597.8 |
申请日期 |
2015.07.15 |
申请人 |
宜确半导体(苏州)有限公司 |
发明人 |
黄清华;刘磊;陈高鹏 |
分类号 |
H03F1/32(2006.01)I;H03F1/02(2006.01)I;H03F3/189(2006.01)I;H03F3/20(2006.01)I |
主分类号 |
H03F1/32(2006.01)I |
代理机构 |
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 |
代理人 |
范晴;丁浩秋 |
主权项 |
一种用于GSM/DCS的共源共栅射频功率放大器,其特征在于,包括由第一射频晶体管和第二射频晶体管组成的GSM频段共源共栅功率放大电路和由第三射频晶体管和第四射频晶体管组成的DCS频段共源共栅功率放大电路,所述GSM频段共源共栅功率放大电路和DCS频段共源共栅功率放大电路共用一个共栅级栅极去耦电容;GSM频段共源共栅功率放大电路的第一偏置电路和第二偏置电路以及DCS频段共源共栅功率放大电路的第三偏置电路和第四偏置电路连接功率控制单元,所述功率控制单元具有至少一个用于调整第一偏置电路、第二偏置电路、第三偏置电路和第四偏置电路的输出偏置电压的输入控制信号端。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路150号 |