发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
本发明涉及半导体装置。根据本发明的半导体装置包括:金属基底;树脂外壳,该树脂外壳具有面对金属基底的接合面;涂敷槽,该涂敷槽形成在接合面中且保持用于将树脂外壳与金属基底在预定位置接合的粘合剂,形成涂敷槽的壁的顶面与包含接合面的面相隔开,使得在金属基底和树脂外壳之间形成逃逸空间;逃逸空间,该逃逸空间接纳从涂敷槽流出的多余的粘合剂;接纳槽,该接纳槽与逃逸空间连通且可靠地接纳逃逸空间未能接纳的多余的粘合剂。即使涂敷了对于接纳槽的接纳而言过多的多余粘合剂,也可在止挡槽中接纳多余的粘合剂并防止进一步流出。根据本发明的半导体装置便于确保树脂外壳和金属基底之间的足够的接合强度并实质上防止粘合剂从接合区域流出。 |
申请公布号 |
CN102315178B |
申请公布日期 |
2015.10.07 |
申请号 |
CN201110192485.5 |
申请日期 |
2011.06.28 |
申请人 |
富士电机株式会社 |
发明人 |
征矢野伸 |
分类号 |
H01L23/10(2006.01)I;H01L23/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/10(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
张鑫 |
主权项 |
一种半导体装置,包括:金属基底;框形树脂外壳,该框形树脂外壳与所述金属基底接合以形成容纳半导体芯片的空间;粘合剂涂敷槽,该粘合剂涂敷槽在预定位置保持有粘合剂,以将所述树脂外壳与所述金属基底接合,所述粘合剂涂敷槽在所述树脂外壳的面对所述金属基底的接合面中形成,所述粘合剂涂敷槽沿着所述接合面的整个外周侧连续延伸;以及粘合剂逃逸空间,该粘合剂逃逸空间在所述粘合剂涂敷槽的侧壁的顶面和所述金属基底之间形成,所述顶面与包含所述接合面的平面相隔开,以将涂敷至所述粘合剂涂敷槽的多余的粘合剂引入并接纳在该粘合剂逃逸空间中;以及流出粘合剂接纳槽,该流出粘合剂接纳槽在所述接合面中形成,所述流出粘合剂接纳槽与所述粘合剂涂敷槽相邻并与所述粘合剂逃逸空间连通。 |
地址 |
日本神奈川县 |